低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片
授权
摘要
本发明公开了一种直径至少约3英寸和1c螺旋位错密度小于约2000cm－2的高质量SiC单晶晶片。
基本信息
专利标题 ：
低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101061262A
申请号 ：
CN200580033838.X
公开（公告）日 ：
2007-10-24
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿德里安·波维尔马克·布莱德斯蒂芬·G·米勒瓦莱里·F·茨韦特科夫罗伯特·泰勒·莱昂纳德
申请人 ：
格里公司
申请人地址 ：
美国北卡罗来纳州
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐江华
优先权 ：
CN200580033838.X
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2013-06-12 ：
授权
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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