碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法，属于半导体技术领域，包括清洗烘干晶圆抛光片，按顺序置于晶片花篮中；将单个晶圆抛光片移动到显微镜的样品台上；将所述单个晶圆抛光片在显微镜视场进行面扫描，得到所述单个晶圆抛光片的形貌特征图片；根据所述形貌特征图片，对所述单个晶圆抛光片中的位错进行分类识别，并记录各个位错相对于晶圆平面的位置坐标，统计各类位错的数量；将所述单个晶圆抛光片置于置片花篮中。本发明通过三维追踪的方法，逆向分析了晶体生长过程中多型以及各类位错的起源以及相互之间的演化，这对于晶体生长工艺的改善以及晶体生长质量的提高，提供了极大的帮助。