本发明公开了一种InSb晶片制备方法，包括：将晶锭按照固定基准固定后，垂直于晶锭的轴线进行切割，以切出第一InSb晶片；确定第一InSb晶片的晶向，调整切割角度，在切开的所述晶锭，继续切割出第一目标晶向的端面；保持切割机刀片角度，基于所述固定基准旋转晶锭目标角度，执行切割，以获得第二目标晶向的端面；对第二目标晶向的端面进行标记，基于标记后的端面切割出所需的籽晶；基于切割的籽晶进行晶体生长和切割，以获得目标InSb晶片。本公开的方法解决了晶体生长之后因Te元素在晶片中心区域聚集而引起的电学参数分布不均匀的技术难题，从而提高大尺寸InSb晶片有效区域范围内的电学参数的均匀性以及晶片的有效使用面积。