铝酸锂晶片的氮化方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种铝酸锂晶片的氮化方法，该方法的具体工艺包括：将经过化学机械抛光的具有较好表面的铝酸锂晶片放入马弗炉的石英管或钢管中，打开氮化源气路，调节气压至超过大气压0.005－0.05MPa并在石英管流动；马弗炉按100℃/小时的升温速率升温至800－1000℃，保温5－25分钟，然后按照100℃/小时的速率降温至室温；从马弗炉取出氮化的铝酸锂晶片。经本发明方法处理后，提高了化学机械抛光后的铝酸锂晶片的热稳定性和表面质量。
基本信息
专利标题 ：
铝酸锂晶片的氮化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1844491A
申请号 ：
CN200610024585.6
公开（公告）日 ：
2006-10-11
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邹军周圣明黄涛华王军周健华
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市800－211邮政信箱
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN200610024585.6
主分类号 ：
C30B25/18
IPC分类号 ：
C30B25/18 C30B29/38 C04B41/85
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
法律状态
2008-05-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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