切割系统以及切割方法
公开
摘要
所公开的切割系统具备：保护层形成装置；图案化装置；等离子体处理装置；测定装置，对与保护层有关的第1加工数据、与掩模有关的第2加工数据以及与元件芯片有关的第3加工数据的至少一个进行获取；控制部，使保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置的至少一个基于按照每个装置而确定的方案来进行动作。控制部基于第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个来判断是否变更方案，在需要方案的变更的情况下，变更方案的至少一个，使保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置的至少一个基于被变更的方案来进行动作。
基本信息
专利标题 ：
切割系统以及切割方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114450779A
申请号 ：
CN202080066998.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
辨野宏田村好司
申请人 ：
松下知识产权经营株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
韩丁
优先权 ：
CN202080066998.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/78 H01J37/32 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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