一种晶圆剥离方法和晶圆剥离装置

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摘要

一种晶圆剥离方法和晶圆剥离装置，属于半导体材料加工技术领域。晶圆剥离方法包括：将晶锭内部的加工面划分成多个区域，使用激光束依次对多个区域进行加工形成改质层，当改质层贯穿于晶锭内部，剥离得到晶圆。激光束在对每一个区域进行加工时，采用冷却流体环绕喷射晶锭的表面以冷却正在加工区域的边缘和/或边缘的外侧。采用冷却流体环绕喷射晶锭的表面并作用于正在加工区域的边缘形成环形流场，使得激光束在形成每个区域的改质层时，激光束作用晶锭内部的能量更加集中于改质层形成区域，以减少能量对未加工区域的影响。实现更加精准的改质层的加工，有利于晶锭内部诱导应力层的产生，从而提高晶圆的剥离质量，以获得高质量的晶圆。

基本信息

专利标题：

一种晶圆剥离方法和晶圆剥离装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112404747A

申请号：

CN202011242999.2

公开（公告）日：

2021-02-26

申请日：

2020-11-09

授权号：

CN112404747B

授权日：

2022-05-24

发明人：

王宏建赵卫何自坚杨涛王自

申请人：

松山湖材料实验室

申请人地址：

广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

余菲

优先权：

CN202011242999.2

主分类号：

B23K26/38

IPC分类号：

B23K26/38 B23K26/402 B23K26/70 H01L21/67