晶圆剥离清洗装置
授权
摘要
本发明在不会对晶圆造成损伤的情况下，缩短从剥离作业起到利用交接装置输送至单片清洗部为止的时间，整体上提高效率。在晶圆剥离清洗装置中，晶圆剥离单片部(100)具有第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)、止倒板(214)以及在止倒板(214)的上部形成有狭缝(216a)的取出两张防止板(216)，交接装置(118)具有交接用吸盘(300)和压力开关，该压力开关对由交接用吸盘(300)吸附保持晶圆(W)的情形进行检测，根据压力开关的检测信号，解除第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的真空吸附，并且使交接用吸盘(300)的后退以及第1剥离用吸盘(200)和第2剥离用吸盘(201)的下降开始。
基本信息
专利标题 ：
晶圆剥离清洗装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113646872A
申请号 ：
CN201980089387.3
公开（公告）日 ：
2021-11-12
申请日 ：
2019-02-08
授权号 ：
CN113646872B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
宫成代三
申请人 ：
株式会社东京精密
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201980089387.3
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-11-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20190208
申请日 : 20190208
2021-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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