一种石墨容器及碳化硅单晶生长坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了一种石墨容器及碳化硅单晶生长坩埚。所述石墨容器包括：石墨容器本体，所述石墨容器本体内装载有含氯化合物；碳化硅块体，安置于所述石墨容器本体内，并位于所述含氯化合物的上方，以密封所述石墨容器本体；多孔盖体，安置于所述石墨容器本体的上方。根据本实用新型提供的石墨容器可以调节碳化硅单晶生长气氛中碳/硅比，从而解决碳化硅单晶生长初期化学气氛富硅而导致的硅滴形成而造成的结晶缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨容器及碳化硅单晶生长坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021969440.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-10
授权号 ：
CN213866496U
授权日 ：
2021-08-03
发明人 ：
陈豆李坚马远
申请人 ：
中电化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
夏苗苗
优先权 ：
CN202021969440.5
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-08-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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