一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚
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摘要
本申请提供了一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚，通过将坩埚体分为上坩埚体和下坩埚体两部分结构，并且，设置坩埚盖扣合在上坩埚体的顶部，上坩埚体的底部与下坩埚体的顶部连接；下坩埚体的电阻率小于上坩埚体的电阻率，上坩埚体的电阻率小于或等于坩埚盖的电阻率。在碳化硅单晶生长时，由于下坩埚体的石墨电阻率低于上坩埚体的石墨电阻率，相应的下坩埚体的坩埚壁交变电流要比上坩埚体大，加热效率高，使得与之接触的碳化硅多晶粉料温度高；上坩埚体以及坩埚盖的石墨电阻率高于下坩埚体的石墨电阻率，相应的其产生的交变电流相对小，使得碳化硅籽晶区域温度低。这样，可以从坩埚体底部到顶部方向，营造轴向温度梯度，满足晶体生长速率要求。
基本信息
专利标题 ：
一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021742009.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-20
授权号 ：
CN213172678U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
杨祥龙徐现刚王垚浩胡小波陈秀芳
申请人 ：
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021742009.7
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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