一种新型晶体生长设备
专利权的主动放弃
摘要

本实用新型提供了一种新型晶体生长设备包括:由下往上依次设置的籽晶部件、籽晶原点部件、上炉体、隔离阀、下炉体和下腔体结构,籽晶部件和籽晶原点部件皆设于上炉体的上部,隔离阀设于下炉体的上部,下炉体设于下腔体结构包括:工作台,其四个边角处皆设有垂直于地面的支撑脚;腔体结构,可拆卸的设于工作台上且腔体结构的容纳腔设于工作台的下方,所述容纳腔的上部开口且开口面与工作台齐平,所述容纳腔包括侧板和底板,底板的底面轴线上依次设有排气接口法兰、坩埚轴接口法兰和电极接口法兰;下保温桶,设于侧板的外围,所述下保温桶的外壁设有护套,所述底板的下方设有托盘。本实用新型具有拉晶效率高,使用效果好的特点。

基本信息
专利标题 :
一种新型晶体生长设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922337022.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-23
授权号 :
CN211848202U
授权日 :
2020-11-03
发明人 :
杨金海徐永根
申请人 :
浙江晶阳机电股份有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市丁桥镇镇保路72号2号楼
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王家蕾
优先权 :
CN201922337022.8
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-04-15 :
专利权的主动放弃
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20191223
授权公告日 : 20201103
放弃生效日 : 20220402
2020-11-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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