一种晶体生长设备
授权
摘要
本实用新型涉及晶体制备领域，公开了一种晶体生长设备，包括坩埚和观察装置。在生长晶体时，需将熔体放置于模具内，再将模具放置于坩埚的底部，则熔体能够通过加热变成熔液，熔液可上升到模具的刃口。而观察装置包括观察件，观察件包括伸入坩埚内部的头部，头部为圆台结构，利用圆台结构的锥度可扩大观察视角，而且该圆台结构的中轴线与模具的刃口平齐，可更好的观察晶体的生长情况，避免误差。另外，圆台结构与模具的刃口在水平方向上的距离小于等于50mm，头部与熔体的温度较为接近，也可避免熔体挥发物遇冷凝结在头部，遮挡观察视角。因此，该晶体生产设备可保证使用者全程观察晶体的生长情况，调整晶体生长参数，有效提高晶体的成品率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220008450.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
CN216712310U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
沈仁奇赵衡煜刘俊杰赵艺惠陈志平林凤郑燕青
申请人 ：
厦门钨业股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市湖里区安岭路1005号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
邱锴文
优先权 ：
CN202220008450.5
主分类号 ：
C30B15/34
IPC分类号 ：
C30B15/34 C30B15/26
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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