保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法，核心内容是：用等离子喷涂技术在铱坩埚外壁喷涂氧化锆保护层，在中性气氛下化料并保持在氧气气氛下生长晶体，晶体生长完成后，让晶体在真空中和氧化锆保温条件下自然冷却。
基本信息
专利标题 ：
保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1080334A
申请号 ：
CN92108460.9
公开（公告）日 ：
1994-01-05
申请日 ：
1992-06-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜声辉朱洪滨侯印春王四亭
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市嘉定县嘉定镇清河路290号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN92108460.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B27/02 C30B29/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1995-08-23 ：
专利申请的视为撤回
1994-01-05 ：
公开
1992-12-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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