一种高温晶体生长炉结构
授权
摘要
本实用新型提供一种高温晶体生长炉结构，包括机架、装设于机架上的坩埚、装设于机架上且位于坩埚上方的加热炉和装设于机架上且位于坩埚下方的籽精杆自转机构，所述坩埚与机架之间设置有坩埚升降机构，所述加热炉与机架之间设置有炉体升降机构。利用本实用新型技术方案制作的一种高温晶体生长炉结构，改变了传统工艺中升降籽精杆的结晶方式，通过同步升降坩埚和炉体，来改变籽精杆位于坩埚内的长度，以此来进行晶体的生长，并且在能够同步升降坩埚和炉体的同时，能够对炉体单独进行升降，两者互不干扰，提高了整体机构对空间的利用率，同时，在机架上还设置有安全限位的机构，提高了整体的安全性。
基本信息
专利标题 ：
一种高温晶体生长炉结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020874935.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212610984U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
张玉柱杨玉春张萌
申请人 ：
天津和捷诚自动化科技有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰华科一路11号B座1层101
代理机构 ：
北京沁优知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭娜
优先权 ：
CN202020874935.3
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B15/32 C30B15/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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