一种用于晶体生长的观察结构
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摘要
本实用新型公开了一种用于晶体生长的观察结构,包括底座,所述底座的顶端面中心位置处设置有保温罩,所述保温罩的顶端面中心位置处滑动插接有籽晶杆,且保温罩对称的两侧面均滑动插接有支杆,两组所述支杆插入保温罩的一端均固定连接有呈圆弧状的固定块,且两组支杆的另一端固定连接有推板,两组所述推板与保温罩之间均套接有弹簧,所述保温罩的顶端面一侧内嵌有电动推杆,所述电动推杆的底端面上设置有连接块,所述连接块背向电动推杆的一侧面固定连接有安装块,该用于晶体生长的观察结构,避免了观察机构一侧开口影响温场的对称性,便于调节观察位置,避免了镜片被遮挡造成无法观察的情况,提升了稳定性和适用性。
基本信息
专利标题 :
一种用于晶体生长的观察结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022249369.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-12
授权号 :
CN213388970U
授权日 :
2021-06-08
发明人 :
陈燕平孙义林黄祥跃
申请人 :
福州致卓晶体光电科技有限公司
申请人地址 :
福建省福州市鼓楼区工业路523号福州大学创业楼320室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202022249369.X
主分类号 :
C30B15/26
IPC分类号 :
C30B15/26
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2021-06-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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