钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法，其特点是采用中频或高频感应加热铂坩埚和坩埚内的熔体原料，采用改变坩埚四周的保温材料和保温罩的形状，即感应加热顶部籽晶法生长钛酸钡四方晶体，加大了晶体生长的驱动力，简化了生长装置和工艺，该装置和方法也可用于生长其他非一致熔化晶体。
基本信息
专利标题 ：
钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1063511A
申请号 ：
CN91107313.2
公开（公告）日 ：
1992-08-12
申请日 ：
1991-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯印春王四亭朱洪滨
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市嘉定县嘉定镇清河路390号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN91107313.2
主分类号 ：
C30B29/32
IPC分类号 ：
C30B29/32 C30B15/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/32
钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐
法律状态
1993-11-10 ：
专利申请的视为撤回
1992-12-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-08-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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