掺镱和四价铬钇铝石榴石激光晶体的生长方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及掺镱(Yb)和四价铬(Cr4+)钇铝石榴石(YAG:Yb，Cr4+)激光晶体的引上生长方法。包括原料组分，掺杂配方，加热方式，生长参数和生长气氛选择，固液界面形状控制，晶体退火等方面。本发明的主要特征是采用了包括“镱+镁+铬”和“镱+钙+镁+铬”两种掺杂体系，以实现三价铬离子(Cr3+)能有效地向四价铬(Cr4+)充分转化。该晶体同时具有由Yb3+离子产生1.03μm波长激光并由Cr4+对该波长实现被动调Q的双重功能。
基本信息
专利标题 ：
掺镱和四价铬钇铝石榴石激光晶体的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1804150A
申请号 ：
CN200510022205.0
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐天华赵世平张志斌杨永强彭维清罗蜀平
申请人 ：
西南技术物理研究所
申请人地址 ：
610041四川省成都市人民南路4段7号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所
代理人 ：
徐丰
优先权 ：
CN200510022205.0
主分类号 ：
C30B29/28
IPC分类号 ：
C30B29/28 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/28
分子式为A3Me5O12的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石
法律状态
2011-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101037108819
IPC(主分类) : C30B 29/28
专利号 : ZL2005100222050
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20100104
号牌文件序号 : 101037108819
IPC(主分类) : C30B 29/28
专利号 : ZL2005100222050
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20100104
2008-11-19 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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