本发明公开了一种铽镓石榴石晶体及其生长方法，涉及晶体生长技术领域。本发明铽镓石榴石晶体的生长方法，包括以下步骤:(1)将氧化铽和氧化镓干燥后混料得到混合料；(2)将混合料压块后置于高温炉烧结得到多晶原料；(3)将多晶原料置于铱坩埚中在温场中心熔融得到熔融液，将籽晶下入熔融液液面下进行晶体生长，得到铽镓石榴石晶体。本发明将混合料置于高温炉中依次进行四次烧结，充分对混合料进行多晶合成，减少后续晶体生长过程中的氧化镓的挥发，在晶体生长过程中控制温场梯度，确保晶体生长过程中不会发生扭曲现象，有效避免晶体生长螺旋的情况发生，得到一种大尺寸铽镓石榴石晶体。