利用会切磁场和晶体及坩埚转速的组合控制硅晶体氧含量的方法
专利权的终止
摘要
提出了一种生产硅棒的丘克拉斯基法，其中单晶硅棒从盛在与之共轴的坩埚内的硅熔体中拉出，硅棒和坩埚沿其轴以相反方向旋转，在硅棒生长期间其转速大于坩埚转速，坩埚转速随棒长度的增加而增加；在硅熔体上施加基本沿棒轴旋转对称的磁场，直到一定比例的硅熔体固化为止，磁场具有垂直贯穿坩埚的底和侧壁的分量和垂直贯穿硅熔体表面的分量，垂直贯穿熔融硅表面的平均磁场分量约为０，而垂直贯穿坩埚底和侧壁的磁场分量的强度随硅熔体固化比例的增加而减小。
基本信息
专利标题 ：
利用会切磁场和晶体及坩埚转速的组合控制硅晶体氧含量的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1069298A
申请号 ：
CN92109354.3
公开（公告）日 ：
1993-02-24
申请日 ：
1992-08-14
授权号 ：
CN1038437C
授权日 ：
1998-05-20
发明人 ：
Ｒ·Ａ·弗雷德里克
申请人 ：
ＭＥＭＣ电子材料有限公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
姜建成
优先权 ：
CN92109354.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2012-10-10 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101334113104
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL921093543
申请日 : 19920814
授权公告日 : 19980520
期满终止日期 : 20120814
号牌文件序号 : 101334113104
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL921093543
申请日 : 19920814
授权公告日 : 19980520
期满终止日期 : 20120814
2002-06-12 ：
其他有关事项
1998-05-20 ：
授权
1994-11-16 ：
实质审查请求的生效
1993-02-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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