一种半导体晶棒拉晶夹具
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体晶棒拉晶夹具,包括底座,所述底座的顶部一体加工有拉晶炉体,所述拉晶炉体正面的左侧从上至下依次设置有按钮区域,所述拉晶炉体内腔的背面栓接有隔热板,所述拉晶炉体正面的两侧均通过合页铰接有双开门,所述双开门相向一侧的中心处栓接有拉柄,所述拉晶炉体内腔的底部横向栓接有放置板,所述拉晶炉体内腔的顶部从上至下依次横向栓接有第一固定条和第二固定条。本实用新型通过固定夹座、固定块、固定座、限位座、铰接座、握柄、快速夹头和调节螺栓的结构配合,可对石英管进行夹持固定,防止石英管在拉晶过程中,出现晃动或位移,进一步提高石英管的拉晶质量,减少石英管的材料损耗。
基本信息
专利标题 :
一种半导体晶棒拉晶夹具
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020290104.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-10
授权号 :
CN212103058U
授权日 :
2020-12-08
发明人 :
温汉军
申请人 :
常山县万谷电子科技有限公司
申请人地址 :
浙江省衢州市常山县新都工业园区
代理机构 :
北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
宫建华
优先权 :
CN202020290104.1
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-12-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212103058U.PDF
PDF下载