一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型提供一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构，包括：氧化阀、炉体和真空泵，其特征在于：所述炉体、所述氧化阀和所述真空泵依次连接。本实用新型的有益效果是通过优化氧化工艺，氧化过程允许空气直接进入管道，避免大量的氧与高温状态的热场件接触，增加热场件的使用寿命。同时结构简单，维修方便，加工成本低、效果明显，大大降低了热场的腐蚀程度。

基本信息

专利标题：

一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022412802.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-27

授权号：

CN213866491U

授权日：

2021-08-03

发明人：

张庆虎李仕权周宏邦王淼张强刘伟王立刚李成

申请人：

内蒙古中环领先半导体材料有限公司

申请人地址：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号

代理机构：

天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

栾志超

优先权：

CN202022412802.7

主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/00

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B15/00

熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法

法律状态

2022-04-22 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/00
登记生效日 : 20220412
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 内蒙古中环领先半导体材料有限公司
变更后权利人 : 内蒙古中环领先半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
变更后权利人 : 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司

2021-08-03 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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