使用连续柴可斯基方法生长氮掺杂单晶硅锭的方法以及通过此方...
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种通过连续柴可斯基方法生长单晶硅锭的方法。熔体深度及热条件在生长期间是恒定的，因为硅熔体随着其被消耗而被连续补充，且坩埚位置是固定的。临界v/G是由热区配置确定，且在生长期间对熔体连续补充硅使锭能够在锭的主体的实质部分的生长期间依与临界v/G一致的恒定拉晶速率生长。硅的连续补充伴随着对熔体的周期性或连续氮添加以导致氮掺杂锭。
基本信息
专利标题 ：
使用连续柴可斯基方法生长氮掺杂单晶硅锭的方法以及通过此方法生长的单晶硅锭
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114555871A
申请号 ：
CN202080070468.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卡瑞喜玛·玛丽·哈德森柳在祐
申请人 ：
环球晶圆股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
江葳
优先权 ：
CN202080070468.1
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B15/22 C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/04
申请日 : 20200804
申请日 : 20200804
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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