一种热屏升降装置及晶体生长炉
授权
摘要

本实用新型涉及一种热屏升降装置及晶体生长炉,热屏升降系统包括:升降组件;测距模块,包括:反射件与可移动部;其中,反射件与升降组件的运动方向垂直固定以形成基准平面;可移动部固定至升降组件且与反射件相对设置,可移动部可随升降组件的运动而远离或靠近反射件;显示模块,与可移动部连接,用于显示可移动部与反射件之间的距离。该热屏升降装置通过设置测距模块和显示模块,将热屏升降数值数字化,可以直观地、实时地显示热屏升降时的位置,不仅使得读数观察方便,便于操作人员进行控制,而且减少了操作过程中的人员需求数量,节约了人员配置,避免了人员过多而导致的机械伤害可能性增大的问题,提高了操作人员的单人工作效率。

基本信息
专利标题 :
一种热屏升降装置及晶体生长炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921979005.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-15
授权号 :
CN210945852U
授权日 :
2020-07-07
发明人 :
吴超全铉国刘佳奇
申请人 :
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 :
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘长春
优先权 :
CN201921979005.8
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2020-07-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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