一种用于晶体生长的反射屏装置
授权
摘要
本发明提供一种用于晶体生长的反射屏装置,包括:导流筒,配置为调节熔体和晶体之间的温度;其中,所述导流筒包括第一表面,所述第一表面靠近所述熔体表面;所述导流筒还包括第二表面,所述第二表面靠近所述晶体表面;热辐射通道,所述热辐射通道位于所述第一表面和所述第二表面之间,以将所述第一表面的热量传递到所述第二表面。根据本发明提供的用于晶体生长的反射屏装置,在导流筒的第一表面和第二表面之间设置热辐射通道,以控制熔体表面的热辐射传递到晶体外表面的热通量,从而使固液界面变得较为平坦,且晶体固液界面至其轴向一定高度处的平均温度梯度值在晶体中心和边缘范围内变得相同或相近。
基本信息
专利标题 :
一种用于晶体生长的反射屏装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112481694A
申请号 :
CN201910860775.9
公开(公告)日 :
2021-03-12
申请日 :
2019-09-11
授权号 :
CN112481694B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
沈伟民王刚
申请人 :
上海新昇半导体科技有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区临港新城云水路1000号
代理机构 :
北京市磐华律师事务所
代理人 :
高伟
优先权 :
CN201910860775.9
主分类号 :
C30B15/16
IPC分类号 :
C30B15/16 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
C30B15/16
辐照法和放电法
法律状态
2022-04-05 :
授权
2021-03-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/16
申请日 : 20190911
申请日 : 20190911
2021-03-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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