一种用于晶体生长的稳定升降装置
授权
摘要
本说明书一个或多个实施例提供一种用于晶体生长的稳定升降装置，包括：升降基座；竖直设置于所述升降基座的立柱；套设在所述立柱的升降导轨机构；与所述升降导轨机构固定连接且竖直设置的晶体拉杆，所述晶体拉杆下端用于设置晶体；驱动机构，用于驱动所述晶体拉杆沿竖直方向运动，并带动所述升降导轨机构沿所述立柱滑动；以及，与所述升降导轨机构固定连接的自锁机构，所述自锁机构用于在系统故障时锁死，阻止所述升降导轨机构与所述立柱发生相对位移。能够解决晶体制备过程中设备断电或系统故障导致晶体报废设备损坏的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于晶体生长的稳定升降装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020335862.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-17
授权号 ：
CN211999985U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
王宗
申请人 ：
王宗
申请人地址 ：
甘肃省兰州市兰州新区白龙江路777号
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
王刚
优先权 ：
CN202020335862.0
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B17/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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