一种新型单晶炉热屏升降装置
授权
摘要
本实用新型涉及单晶硅生产设备技术领域，具体涉及一种新型单晶炉热屏升降装置。包括热屏、升降装置、动力装置和保护装置，所述升降装置通过滑块与热屏连接，升降装置的外围设置有保护装置，包括冷却管、石墨隔热毡和密封波纹管；所述升降装置的滚珠丝杠副外侧设置有一层铜板，铜板外设置有冷却管，所述冷却管外围包括设置石墨隔热毡；所述密封波纹管设置在动力装置与上轴承之间的丝杠上。本实用新型装置采用滚珠丝杠螺母通过滑块直接与热屏相连接的方式，增强了热屏升降的平稳性能的同时升降结构简化，使用方便，不仅摩擦损失小、传动效率高、省电，而且可以实现高精度的高速进给和微进给。
基本信息
专利标题 ：
一种新型单晶炉热屏升降装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022421798.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN213652721U
授权日 ：
2021-07-09
发明人 ：
高德东王珊张西亚高俊伟宋生宏
申请人 ：
青海大学;阳光能源（青海）有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市宁大路251号
代理机构 ：
北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人 ：
李树志
优先权 ：
CN202022421798.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
