一种单晶炉加热器升降装置及单晶炉
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摘要
本实用新型公开一种单晶炉加热器升降装置及单晶炉，涉及单晶硅生长技术领域。用于提高热利用率以及提高晶棒的品质。单晶炉加热器升降装置包括升降模组，升降模组为多个，多个升降模组均设置在单晶炉的下方，由多个升降模组围合形成第一区域，第一区域与单晶炉内坩埚放置区域相对应；与每一升降模组对应均设置：空心密封组件，空心密封组件的顶端紧固设置于单晶炉的下方，空心密封组件的底端随升降模组升降；电极，电极的底端容纳在空心密封组件内，电极的顶端贯穿单晶炉的炉底后容纳在单晶炉内；电极随升降模组升降；连接件，连接件的底端与电极的顶端连接，连接件的顶端与加热器连接；电极、连接件和加热器所具有的内侧面共面。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉加热器升降装置及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122177246.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-09
授权号 ：
CN216156013U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张朝光朱永刚李侨
申请人 ：
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区航天中路388号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
何丽娜
优先权 ：
CN202122177246.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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