加热器及单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种加热器及单晶炉，涉及单晶炉设备技术领域，主要目的是保证硅单晶的品质。本实用新型的主要技术方案为：加热器，其包括：本体和支撑部；所述本体包括多组加热部件，每一组所述加热部件包括U形加热体和两个直板形加热体，所述U形加热体的一端连接于一个所述直板形加热体，另一端连接于另一个所述直板形加热体，所述直板形加热体的宽度小于所述U形加热体的宽度，相邻的两组所述加热部件包括第一加热部件和第二加热部件，所述第一加热部件的所述直板形加热体连接于所述第二加热部件的直板形加热体，用于构成筒状结构；所述支撑部包括多个支撑板，每一个所述支撑板的一端连接于所述U形加热体的中部，另一端连接于电极。
基本信息
专利标题 ：
加热器及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021711611.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN213113598U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
张野马伟萍乔乐张晶晶
申请人 ：
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县北工业园区A区
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN202021711611.4
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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