单晶炉用加热器
授权
摘要
本实用新型公开了一种方便调节加热器轴向温度分布梯度的单晶炉用加热器，所述加热器包括至少2个发热圈、至少2个支撑脚和连接两者的连接螺栓；发热圈为筒体，与支撑脚装配处加工有发热圈连接平面和连接螺孔；支撑脚包括发热圈连接端、电极连接端，整体呈L型，发热圈连接端上加工有用于装配发热圈的支撑脚连接平面，支撑脚连接平面上设有用于让连接螺栓穿过的连接通孔，发热圈通过连接螺栓安装在发热圈连接端上；电极连接端加工有用于装配电极的通孔；本实用新型结构简单、性能可靠，加热器可整体成型或组合成型，方便制造安装，通过改变发热圈的数量及高度、相邻发热圈之间的间距，以调节加热器轴向温度的分布梯度。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉用加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922268480.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211645446U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
廖寄乔石磊邓华峰李丙菊李军王冰泉彭信辉刘学文王跃军龚玉良
申请人 ：
湖南金博碳素股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省益阳市高新开发区迎宾西路2号
代理机构 ：
益阳市银城专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈禧
优先权 ：
CN201922268480.0
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 H05B3/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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