一种单晶炉用加热器
授权
摘要
本实用新型提供一种单晶炉用加热器，包括主加热部、副加热部和底加热部，副加热部与主加热部并行设置且位于主加热部下方，副加热部包括对称设置的第一副加热件和第二副加热件；底加热部与副加热部垂直设置且位于副加热部下端，底加热部包括对称设置的第一底加热件和第二底加热件；第一副加热件与第一底加热件并联连接形成一循环回路，第二副加热件与第二底加热件并联连接形成一循环回路；主加热部与副加热部之间设有第一间隙通道，副加热部与底加热部之间设有第二间隙通道。本实用新型尤其适于大尺寸热场，可保证热场温度均匀，提升石英坩埚和热场使用时间，降低生产成本，同时使单晶头部间隙氧含量降低，提高硅单晶质量，提高晶体成晶率。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920958601.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-25
授权号 ：
CN210636093U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
梁宇飞张红霞王建平樊国庆陈培杰武皓洋徐强王林
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201920958601.1
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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