一种单晶炉用底部加热器
授权
摘要
本实用新型公开一种单晶炉用底部加热器，包括相互连接的加热器主体和加热器脚，加热器主体的截面呈等厚度碗状结构，加热器主体上沿碗状弧面均匀开设有多条长槽，长槽包括相互交错布置的第一长槽和第二长槽；第一长槽由加热器主体的底部向上延伸形成，第二长槽由加热器主体的顶部向下延伸形成。本实用新型将加热器主体设计为等厚度碗状结构，该碗状结构与坩埚底部形状一致或接近使得本实用新型的各处距离坩埚底部等距或接近等距，从而确保坩埚底部受热均匀，热场的径向温度场均匀，提高本实用新型的发热效率，较现有技术中采用单层平面结构的底部发热器熔料阶段时间减少了5％‑10％。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用底部加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020246244.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN211713246U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
陈超刘进怀殷勇陈斌
申请人 ：
湖南金创新材料有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市长沙县果园镇果园大道328号
代理机构 ：
长沙国科天河知识产权代理有限公司
代理人 ：
邱轶
优先权 ：
CN202020246244.9
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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