一种单晶炉用加热器
授权
摘要
本实用新型公开一种单晶炉用加热器，包括加热器主体和加热器脚，加热器主体包括加热器上部、加热器中部以及加热器下部；加热器中部的轴向横截面积与加热器上部或加热器下部的轴向横截面积比大于或等于2/3且小于或等于3/4，加热器中部的轴向高度与加热器主体的轴向高度比大于或等于1/2且小于或等于3/4。本实用新型通过将加热器中部的横截面积设计成小于加热器上部和加热器下部的结构，从而使加热器中部的电阻相对较大，进一步使得加热器中部的功率增加，从而使得熔料时间会缩短；在加热器总功率不变的情况下，热场的轴向温度梯度相对增大，从而使得等径生长的速度增大，减少了等径生长时间，提高了半导体硅单晶的生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020245532.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN211713245U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
陈超刘进怀殷勇陈斌
申请人 ：
湖南金创新材料有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市长沙县果园镇果园大道328号
代理机构 ：
长沙国科天河知识产权代理有限公司
代理人 ：
邱轶
优先权 ：
CN202020245532.2
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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