一种用于单晶炉拉制硅单晶的导流筒
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摘要
本实用新型提出一种用于单晶炉拉制硅单晶的导流筒,包括外导流筒和内导流筒，所述外导流筒内安装有内导流筒，且内导流筒的下端设有第一下料口，所述第一下料口的下方在外导流筒上设有第二下料口，所述第二下料口的内侧安装有导流组件，所述外导流筒包括上筒体和下筒体，所述上筒体的下方在下筒体的外侧安装有承重环，所述承重环的正上方在上筒体上安装有限位环，该种用于单晶炉拉制硅单晶的导流筒采用分体式设计，通过设置的限位环与螺纹连接环的配合，便于将下筒体与上筒体进行分离，继而便于对导流组件进行快速更换，减少操作步骤，从而通过更换不同下口直径的导流组件来满足不同直径单晶硅棒的拉制，降低运行成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于单晶炉拉制硅单晶的导流筒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122120597.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-03
授权号 ：
CN216156011U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
付明全刘鑫徐志群秦现东刘勇雷瑶
申请人 ：
青海高景太阳能科技有限公司;广东高景太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市城中区创业路108号3层321室
代理机构 ：
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓冬
优先权 ：
CN202122120597.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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