用于单晶炉的加热器组件和单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于单晶炉的加热器组件和单晶炉，加热器组件包括：第一加热器和第二加热器，第一加热器包括多个第一加热部，多个第一加热部包括第一加热段和第二加热段，第一加热段的数量和第二加热段的数量相等且在第一加热器的周向上一一交错设置，第一加热段的轴向长度大于第二加热段的轴向长度，且第一加热段的下端位于第二加热段下端的下方，第二加热器间隔设在第一加热器的下方，第二加热器包括多个第二加热部，多个第二加热部包括多个第三加热段，每个第三加热段沿第二加热器的径向延伸，且设在对应第二加热段的正下方。根据本实用新型的用于单晶炉的加热器组件，有利于降低晶棒氧含量，延长坩埚使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
用于单晶炉的加热器组件和单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022413804.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN214496546U
授权日 ：
2021-10-26
发明人 ：
黄末
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
肖阳
优先权 ：
CN202022413804.8
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B11/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2021-10-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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