半导体级硅单晶炉的底部加热器
授权
摘要
本实用新型公开了半导体级硅单晶炉的底部加热器，包括底座，底座内设置有加热管，加热管与底座之间通过隔热板隔热固定，底座上设置有铜板，铜板与加热管接触贴合，铜板上设置有内置孔，铜板上放置有炉体，炉体的下端设置有贯穿底座的出料口，出料口与内置孔滑动贯穿，底座内设置有隔热层。通过加热管的通电加热能够从炉体的底部对炉体内的材料进行加热，配合铜板，使得加热更加均匀，且底座与炉体方便装配，便于定期检修加热管。
基本信息
专利标题 ：
半导体级硅单晶炉的底部加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122181851.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-03
授权号 ：
CN216156016U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
顾海浪
申请人 ：
顾海浪
申请人地址 ：
江苏省淮安市涟水县岔庙镇新河村五组55号
代理机构 ：
合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王前程
优先权 ：
CN202122181851.9
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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