加热器及具有其的单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了加热器及具有其的单晶炉，其中，所述加热器包括：至少两层加热器组件，每层加热器组件均具有相对的上端部和下端部，至少一层加热器组件上形成自上端部向下端部延伸的第一狭缝以及自下端部向上端部延伸的第二狭缝，上下相邻的两层加热器组件层叠设置，第一狭缝和/或第二狭缝的尺寸可调；电极脚可拆卸地设置加热器的底部。该加热器采用层叠设置的至少两层加热器组件，上下相邻两层加热器组件形成类似并联的通路，在紧凑的热场空间内加热器厚度与高度变化有限的情况下，可以减小加热器电阻，从而提高加热器功率，并且至少一层加热器组件上的第一狭缝和/或第二狭缝的尺寸可调，进而灵活调整温度梯度。
基本信息
专利标题 ：
加热器及具有其的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920424611.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN210012928U
授权日 ：
2020-02-04
发明人 ：
陈翼张楠
申请人 ：
徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵天月
优先权 ：
CN201920424611.7
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06 F27D11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-02-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
