一种底部加热器及单晶炉
授权
摘要
本实用新型提供一种底部加热器及单晶炉。该底部加热器包括：发热体，所述发热体包括位于中心的圆环，以及从所述圆环的同一直径上的两处分别向外延伸的两个延伸部，所述延伸部相对所述圆环的中心呈中心对称。本实用新型实施例的底部加热器及单晶炉解决了原本底部加热器加工成本高，石墨原料消耗多的问题，从而降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种底部加热器及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021807659.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN215628416U
授权日 ：
2022-01-25
发明人 ：
曹正圆宋克冉颜玉峰
申请人 ：
曲靖晶龙电子材料有限公司
申请人地址 ：
云南省曲靖市曲靖经济技术开发区光伏一号路以东、南海大道以南
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐颖聪
优先权 ：
CN202021807659.5
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-01-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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