单晶炉炉体升降机构
授权
摘要
本实用新型公开一种单晶炉炉体升降机构，包括炉体和升降装置，所述炉体的表面设置有升降装置，所述升降装置包括引导柱，所述引导柱在炉体的一侧设置，所述引导柱上安装有用于升降炉体的传动装置以及驱动传动装置转动的驱动装置。本实用新型，能够解决在升降设备的过程中，设备易出现晃动，易导致设备内部形成的晶体断裂，同时现有升降机构难以保证抬升的精确性的问题。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉炉体升降机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122688506.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
CN216663302U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
燕靖李远田乔帅帅
申请人 ：
徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122688506.4
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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