一种高压单晶炉上下炉体锁紧及炉体密封结构
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摘要
本发明公开了一种高压单晶炉上下炉体锁紧及炉体密封结构，解决了如何完成高压单晶炉上下炉体可靠密封的问题。包括下炉体（1）和上炉体（3），上炉体通过它的下端口错齿法兰盘（4）扣接在下炉体（1）的上端口错齿法兰盘（2）上，在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在下端口错齿法兰盘（4）与上端口错齿法兰盘之间，设置有带错齿锁紧圈（5），在下端口错齿法兰盘（4）与上端口错齿法兰盘之间，分别设置有唇形密封圈（6）和O形密封圈（7）；在驱动轴伸出孔（24）中设置有动密封法兰盘（25），在动密封法兰盘中活动设置有驱动轴（23）。本发明在真空、高压环境的单晶炉中营造了可靠稳定的温度梯度场。
基本信息
专利标题 ：
一种高压单晶炉上下炉体锁紧及炉体密封结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021984610.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212505158U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
解永强张红梅王宏杰柳森娟唐宏波
申请人 ：
西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请人地址 ：
山西省太原市万柏林区和平南路115号
代理机构 ：
山西华炬律师事务所
代理人 ：
陈奇
优先权 ：
CN202021984610.7
主分类号 ：
C30B29/48
IPC分类号 ：
C30B29/48 C30B11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
C30B29/48
AⅡBⅥ化合物
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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