一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构
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摘要
本发明公开了一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构，解决了如何完成炉内温度场梯度分布的技术问题。在下炉体内腔（18）中，设置有沿上下竖直方向的下保温筒（20），在上保温筒支撑支架（10）上设置有沿上下竖直方向设置的上保温筒（11），在上保温筒（11）的顶端设置有盖板（12），下保温筒（20）与上保温筒（11）的底端对接在一起，下炉体（1）的炉底板、下保温筒（20）、上保温筒（11）和盖板组成一个封闭的炉内温度场空间，在该封闭的炉内温度场空间内设置有金属均温筒（14）、防爆裂石英筒（15），在驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚支架（22）和石英坩埚（16），实现了大直径碲化汞晶体的生长。
基本信息
专利标题 ：
一种实现炉内温度场梯度分布的高压单晶炉炉体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021982905.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN213013164U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
张红梅唐宏波解永强王宏杰徐海涛
申请人 ：
西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请人地址 ：
山西省太原市万柏林区和平南路115号
代理机构 ：
山西华炬律师事务所
代理人 ：
陈奇
优先权 ：
CN202021982905.0
主分类号 ：
C30B11/04
IPC分类号 ：
C30B11/04 C30B29/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/04
熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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