梯度型温度场发热体
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种梯度型温度场发热体,具体涉及到一种应用于晶体生长炉中可以有效建立合适的温度梯度场的发热体,属于结晶工艺技术领域,主要特点是将若干具有一定纵截面和横截面形状的发热片合理地组合在一起,形成一个或多个电流通路,在不同阻值的部分产生不同的热量,如此在生长区可以产生一定的温度梯度;并且可以通过调整发热片的截面形状和高度来灵活地调整温场的分布,本实用新型在晶体生长炉中使用时只需要一套温度控制装置,不仅简化了操作,降低了成本,还有利于保持温场的稳定,本实用新型特别适用于下降法、温度梯法、电阻加热提拉法、布里奇曼法、热交换法晶体生长炉,也适用于其它需要有温度梯度分布的热处理装置中。

基本信息
专利标题 :
梯度型温度场发热体
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820116858.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-12
授权号 :
CN201198501Y
授权日 :
2009-02-25
发明人 :
徐军曾金穗李红军董永军李明远林岳明
申请人 :
扬州华夏集成光电有限公司
申请人地址 :
225009江苏省扬州市扬子江南路518号
代理机构 :
扬州苏中专利事务所
代理人 :
张荣亮
优先权 :
CN200820116858.4
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2012-07-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101290110460
IPC(主分类) : C30B 35/00
专利号 : ZL2008201168584
申请日 : 20080512
授权公告日 : 20090225
终止日期 : 20110512
2009-02-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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