一种温度梯度可控晶片前烘热盘式装置。包括：炉体，设有带抽风口的上盖及晶片进出用的门；热盘本体，安在炉体中；加热器及温度检测装置，设于热盘本体中，与热盘温度控制器电连接；晶片顶杆，于热盘本体上，底部穿过热盘本体与升降机构相连；升降机构，用电机与伺服控制器相连，其输出轴装有编码器，经丝杠接顶杆底端。本实用新型能严格控制温度时间和升温速率，获得最优良的胶膜特性及最优良的光刻效果，最终制造出高集成度、高可靠性的半导体器件。