单晶炉炉体及具有其的单晶炉
授权
摘要

本申请涉及一种单晶炉炉体,包括相配合的底座和炉筒,其中,底座的侧壁上安装有两个以上的炉筒导向装置,炉筒导向装置包括固定安装座和轴承组,固定安装座的一端与底座的侧壁固定连接,固定安装座的另一端朝向炉筒设置,轴承组固定安装在固定安装座的另一端上,且轴承组中的轴承,适用于在炉筒接触到轴承的表面时转动,以对炉筒进行导向。在炉筒归位降落时,炉筒接触到炉筒导向装置后,炉筒导向装置中的轴承发生转动,炉筒在轴承的转动下被导向至正确位置。保证了炉筒归位时的位置精准度,并降低了归位降落时的操作难度。

基本信息
专利标题 :
单晶炉炉体及具有其的单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921037493.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-03
授权号 :
CN210765578U
授权日 :
2020-06-16
发明人 :
袁静关树军陈辉
申请人 :
北京天能运通晶体技术有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区经济开发区经海路科创十五街1号
代理机构 :
北京市鼎立东审知识产权代理有限公司
代理人 :
陈佳妹
优先权 :
CN201921037493.0
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-06-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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