一种单晶炉炉体
授权
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉炉体,加料头设置在炉体的上方中部,炉体的底部设有开口,加料头的顶部焊接有法兰盘a,加料头的上方通过螺杆和螺母固定有安全加料器,安全加料器的上方为大口加料部,大口加料部的直径大于加料头的直径,且大口加料部的下方侧面呈倾斜结构,安全加料器的下方为通料管,通料管的前侧安装有附加阀门,炉体的侧面为炉壁,炉壁的上下方均设有固定块,固定块的外侧通过螺栓安装有外防护套,外防护套的上下方设有与固定块相匹配的安装块,安装块的直径大于固定块的直径。通过外防护套的设置,不仅对单晶炉炉体起到了保护作用,还能够对炉体进行冷却,同时通过安全加料器和附加阀门的配合设置,进一步降低了误操作的风险。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉炉体
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921843126.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-30
授权号 :
CN211036178U
授权日 :
2020-07-17
发明人 :
王志磊张燕玲邢德春王志卿于彩凤
申请人 :
晶创铭盛电子科技(香河)有限公司
申请人地址 :
河北省廊坊市香河经济技术开发区运河大道东侧安晟街北侧运泰路西侧机器人产业港1期E5楼
代理机构 :
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨玉廷
优先权 :
CN201921843126.X
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-07-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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