单晶炉
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摘要

本实用新型公开了单晶炉,包括单晶炉主体,所述单晶炉主体后端铰接有炉门,炉门上设置有滑槽和观察窗,所述滑槽内部设置有滑块,滑块下端与第一连接杆相连接,所述观察窗顶部设置有固定块,其固定块内壁设置有弹簧,且弹簧下端与移动块相连接,并且移动块一侧开设有螺纹孔,孔内连接有储水盒,所述第一连接杆一侧设置有第二观察镜,第一连接杆上方设置有第二连接杆,所述第二连接杆一侧设置有第一观察镜。该单晶炉通过在观察窗的一侧设置滑槽,使第一观察镜和第二观察镜可以在滑槽中上下移动位置,从而通过第一观察镜和第二观察镜的辅助在观察窗处对单晶炉主体内部工作情况进行观察,避免单晶炉主体内部光线刺眼、观察不清的现象出现。

基本信息
专利标题 :
单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920850442.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-06
授权号 :
CN210262073U
授权日 :
2020-04-07
发明人 :
王志磊
申请人 :
晶创铭盛电子科技(香河)有限公司
申请人地址 :
河北省廊坊市香河经济技术开发区运河大道东侧安晟街北侧运泰路西侧机器人产业港1期E5楼
代理机构 :
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨玉廷
优先权 :
CN201920850442.3
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-04-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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