一种炉体温度可调的冷壁单晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，更具体而言，涉及一种炉体温度可调的冷壁单晶炉，该装置包括晶体生长装置与恒温冷壁炉，所述晶体生长装置设置在恒温冷壁炉内；通过对恒温冷壁炉温度与炉内压力的控制实现晶体生长特定温度场；采用恒温冷壁炉避免环境对晶体生长温场的影响后晶体单晶率获得提升，由60%提升到75%；采用恒温冷壁炉通过对炉内压力的控制避免了石英管的胀管与缩管等现象，实际砷压与设定砷压一直，晶体纵向均匀行得到提升；通过对降温程序的调控，退火周期由原来的140h缩短到116h。缩短了晶体生长周期，提高了经济效益。
基本信息
专利标题 ：
一种炉体温度可调的冷壁单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921569220.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN210620996U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
柴晓磊高佑君樊海强
申请人 ：
山西中科晶电信息材料有限公司
申请人地址 ：
山西省运城市绛县开发区陈村（山西冲压厂西50米）
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
申绍中
优先权 ：
CN201921569220.0
主分类号 ：
C30B29/42
IPC分类号 ：
C30B29/42 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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