一种单晶炉新大型坩埚旋转、升降机构
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉新大型坩埚旋转、升降机构，包括旋转机构、升降机构、固定机构和固定底座，所述旋转机构包括第一支撑板和第二支撑板，所述第一支撑板的上表面中间位置安装有第一电机，所述第一电机的输出端通过联轴器传动连接有转轴，所述转轴的另一端固定设置在所述第二支撑板的下表面，所述第一支撑板的上表面焊接有支杆，所述支杆的顶部焊接有滑块，所述第二支撑板的下表面开设有环形滑槽，所述滑块滑动设置在所述环形滑槽内，所述固定机构包括固定板。本实用新型通过固定机构对坩埚本体进行固定，通过旋转机构能够对坩埚本体进行旋转，通过升降机构能够对坩埚本体进行升降，从而方便对坩埚本体进行操作。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉新大型坩埚旋转、升降机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020867946.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212152492U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
王志磊张燕玲邢德春王志卿
申请人 ：
晶创铭盛电子科技（香河）有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市香河经济技术开发区运河大道东侧安晟街北侧运泰路西侧机器人产业港1期E5楼
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩亚伟
优先权 ：
CN202020867946.9
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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