一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉
授权
摘要
本实用新型涉及半导体材料制备装置技术领域，更具体而言，涉及一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉，包括晶体生长装置与炉体升降装置，在晶体生长装置中通过自上而下的多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部玻璃棒提供热流失通道；通过炉体升降装置，避免因坩埚内部熔体震动而导致的生长界面波动带来的晶体缺陷，使得晶体尾部多晶率由原来6%下降到2%，晶体的EPD及电性能均匀性得到明显提升；本实用新型提供的晶体生长炉结构简单，操作便捷，方便了装炉与出炉操作，工作效率由3炉/（人·h）提高到5炉/（人·h）。
基本信息
专利标题 ：
一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921656033.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210856408U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
高佑君柴晓磊樊海强
申请人 ：
山西中科晶电信息材料有限公司
申请人地址 ：
山西省运城市绛县开发区陈村（山西冲压厂西50米）
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
申绍中
优先权 ：
CN201921656033.6
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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