一种钻石晶体生长设备的炉体结构
授权
摘要
本实用新型涉及人造钻石技术领域，且公开了一种钻石晶体生长设备的炉体结构，包括操作台，所述操作台的顶部固定安装有连接架，所述连接架的顶部固定安装有机壳，所述连接架的顶部固定安装有位于机壳内部的电机，所述连接架的顶部固定安装有位于机壳的内部且与电机左端传动连接的减速机，所述操作台的顶部固定安装有位于连接架内部的底座，所述操作台的顶部固定安装有与底座固定连接的隔离脚，所述底座的顶部活动安装有反应炉。该钻石晶体生长设备的炉体结构，无需进行复杂且繁琐的关闭打开操作，节省加工时间与使用者精力，缩短钻石晶体的培养时间，更为方便使用者进行操作使用。
基本信息
专利标题 ：
一种钻石晶体生长设备的炉体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921544728.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN210796696U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
张新峰王炜
申请人 ：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号
代理机构 ：
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 ：
丁国勇
优先权 ：
CN201921544728.5
主分类号 ：
C30B29/04
IPC分类号 ：
C30B29/04 C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/04
金刚石
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
