一种钻石晶体生长装置
授权
摘要

本实用新型涉及晶体生长装置技术领域,且公开了一种钻石晶体生长装置,包括隔热层,所述隔热层底部的四周均固定安装有支撑杆,所述隔热层的底部固定安装有驱动电机,所述驱动电机的输出轴固定安装有一端贯穿并延伸至隔热层内部的转杆,所述转杆的顶部固定安装有石英管炉体,所述石英管炉体的外表面固定安装有环形加热管,所述隔热层内腔底部的左右两端均固定安装有滚珠,所述滚珠的顶部与石英管炉体的底部活动连接。该钻石晶体生长装置,通过上下移动水冷环和转动晶体,达到调节晶体温度梯度的目的,无需手动调整,自动化程度高,省时省力,一定程度上保障了最终钻石晶体的合格率,方便使用,适用于各种情况。

基本信息
专利标题 :
一种钻石晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921543627.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-17
授权号 :
CN210529107U
授权日 :
2020-05-15
发明人 :
张新峰王炜
申请人 :
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号
代理机构 :
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 :
丁国勇
优先权 :
CN201921543627.6
主分类号 :
C30B29/04
IPC分类号 :
C30B29/04  C30B23/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/04
金刚石
法律状态
2020-05-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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