一种钻石晶体生长设备的真空系统结构
授权
摘要
本实用新型涉及合成钻石技术领域，且公开了一种钻石晶体生长设备的真空系统结构，包括顶梁和工作台，所述顶梁的顶部固定安装有电机，所述电机的输出轴套接有收卷盘。该钻石晶体生长设备的真空系统结构，当工作人员将抛光完成的晶体放置到真空系统结构内后，启动电机带动收卷盘转动，使牵引绳开始放线，炉体随着牵引绳放线下降向底盖靠近，在炉体移动的同时，拉索与炉体连接的那端被拉动，拉索就绕着定滑轮移动，将与另一端连接的侧板绕着铰座拉起向炉体靠近，当炉体与滚轮接触后，两侧的压力使炉体在滚轮的辅助下稳定向下移动，在持续的移动过程中，滚轮受到相对的作用力使缓冲弹簧收缩，直到炉体与底盖接触，到达了稳定性好的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种钻石晶体生长设备的真空系统结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921543609.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN210560879U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
张新峰王炜
申请人 ：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号
代理机构 ：
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 ：
丁国勇
优先权 ：
CN201921543609.8
主分类号 ：
C30B29/04
IPC分类号 ：
C30B29/04 C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/04
金刚石
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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